第197章 光刻機v碳基晶片

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說ASmL已經設計好了1nm的光刻機，可距離量產還有一段時間。”

林毅稍作停頓，隨後繼續道：“而且，矽基晶片在20nm以後，晶片漏電情況很嚴重。

華人科學家胡正明發明的FinFEt技術，成功打破摩爾定律，使得晶片工藝才得以繼續突破。

不過，胡正明教授認為，5nm左右就是物理極限，再往前進漏電狀況會加劇，晶片能耗會加劇。

當下的5nm晶片，已經出現此類問題。

比如高通驍龍888、蘋果A14和華維海思麒麟9000，在功耗方面都有‘翻車’的跡象。

從物理學和統計學角度來看，矽基晶片的終點一定會到來，極限在1nm左右。”

“大唐的科學家正在想別的辦法，比如尋找矽之外的新材料—石墨烯。

以此為基礎，打造碳基晶片。

碳基晶片有兩個方向：碳奈米管晶片和石墨烯晶片。

而且，石墨烯晶片可以做到1nm以下。

同樣的工藝製程，石墨烯晶片效能會更強，功耗會更低。

目前，盛唐科技已經可以生產14nm的石墨烯晶片。

假設我們可以量產石墨烯晶片。

在當前的工藝條件下，石墨烯晶片的實際表現會超過臺積電5nm晶片。

最關鍵的是它不需要光刻機。”

林毅的這番話，讓任飛十分震驚。

任飛激動的說道：“好，非常好！

要知道，華夏擁有世界上最優秀的石墨烯方面的物理學專家。

我相信如果華夏和大唐進行合作，真的有希望實現彎道超車。”

林毅這時主動伸過手來，雙方緊握雙手，彼此心情都十分激動。

前世，華夏讓花旗國在光刻機和晶片方面卡脖子的事情讓林毅歷歷在目。

這一世，他發誓再也不會讓這種事情發生。

所以，提前佈局晶片領域。

聯合華維進行技術研發，實現技術上的彎道超車。

讓花旗國和一眾西方國家吃癟，這是林毅非常願意幹的事情。

“小林，這裡不是說話的地方。

咱們就這樣約定了，具體細節咱們讓專業團隊進行。

你啥時候有空，去華維訪問一下，給我們提提寶貴意見。

同時，牽頭讓大唐科技和華維簽約共同進行晶片領域的技術研發。”

林毅道：“行，這個沒有問題。

我有一個想法，咱們雙方可以成立一個專門的晶片科技公司。”

任飛道：“這個可以有。公司名字就叫華唐科技，我們佔股45%，你們55%咋樣？”。

林毅表示贊同。

就在林毅和任飛聊的熱火朝天之時，一個不合時宜的聲音傳了過來。

來人正是花旗國駐華大使—布萊斯。

二人見狀，立刻終止了交流。

他們可不想被花旗國知道後橫插一槓子。